N-kanál 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMWSH120H23SM3

Číslo produktu DigiKey
31-DMWSH120H23SM3-ND
Výrobce
Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce
DMWSH120H23SM3
Popis
SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Diodes Incorporated
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
23mOhm při 50A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
3,6V při 17,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
217 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3962 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
349W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
TO-247-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 30
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1632,25000 Kč632,25 Kč
30409,35600 Kč12 280,68 Kč
120365,89017 Kč43 906,82 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:632,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:765,02250 Kč