
DMWSH120H18HM4Q | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | DMWSH120H18HM4Q |
Popis | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 108A (Tc) 313W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 158 nC @ 18 V |
Mfr | Vgs (max) +22V, -10V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4206 pF @ 800 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 313W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Průchozí otvor |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4 |
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 75A, 18V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 37mA |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 807,58000 Kč | 807,58 Kč |
| 30 | 534,29400 Kč | 16 028,82 Kč |
| 120 | 497,39017 Kč | 59 686,82 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 807,58000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 977,17180 Kč |

