Name: DMTH84M1SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH84M1SPSQ-13TR-ND
Price: 87.0595 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH84M1SPSQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH84M1SPSQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH84M1SPSQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH84M1SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH84M1SPSQ-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 100A (Tc) 1,6W (Ta) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4209 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,6W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 4mOhm při 20A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA