Name: DMTH8008LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND
Price: 52.3446 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH8008LFGQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH8008LFGQ-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH8008LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH8008LFGQ-7
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 37.7 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2254 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,2W (Ta), 50W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17A (Ta), 70A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra POWERDI3333-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,9mOhm při 20A, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 845

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)