Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 43.8141 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH6016LSDQ-13
Číslo produktu DigiKey	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH6016LSDQ-13
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 7,6A (Ta) 1,4W, 1,9W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,6A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	19,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	864pF při 30V
Výkon - max	1,4W, 1,9W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMTH6016