Name: DMTH15H017LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH15H017LPSWQ-13TR-ND
Price: 70.3736 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH15H017LPSWQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH15H017LPSWQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH15H017LPSWQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH15H017LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH15H017LPSWQ-13
Popis	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 1,5W (Ta), 107W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PowerDI5060-8 (typ UX)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50 nC @ 10 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3369 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Ta), 107W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Ta), 50A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8 (typ UX)
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,5mOhm při 20A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 250µA	Základní číslo produktu DMTH15