Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 24.1395 CZK
Availability: OutOfStock

DMTH10H032LFVW-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H032LFVW-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 26A (Tc) 1,7W (Ta) Montáž na povrch, Smáčitelný bok PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMTH10H032LFVW-13 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	26A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	683 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,7W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMTH10

Jednotková cena bez DPH:	19,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:	24,13950 Kč

DMTH10H032LFVW-13