Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 53.8692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH10H017LPDQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H017LPDQ-13
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ. E)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28,6nC při 10V
Výrobce Diodes Incorporated	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1986pF při 50V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 1,5W (Ta), 93W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,4mOhm při 17A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8 (typ. E)
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA	Základní číslo produktu DMTH10