Name: DMTH10H017LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND
Price: 47.1174 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH10H017LPDQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH10H017LPDQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH10H017LPDQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH10H017LPDQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH10H017LPDQ-13
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 13A (Ta), 59A (Tc) 1,5W (Ta), 93W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ. E)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	17,4mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28,6nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1986pF při 50V
Výkon - max	1,5W (Ta), 93W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8 (typ. E)
Základní číslo produktu	DMTH10