Name: DMT8012LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-7DITR-ND
Price: 39.8695 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT8012LFG-7
Číslo produktu DigiKey	DMT8012LFG-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMT8012LFG-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMT8012LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT8012LFG-7
Popis	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 9,5A (Ta), 35A (Tc) 2,2W (Ta), 30W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 34 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1949 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,2W (Ta), 30W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,5A (Ta), 35A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra POWERDI3333-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 16mOhm při 12A, 10V	Základní číslo produktu DMT8012

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 4 347

Skladové zásoby výrobce: 8 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)