Name: DMT6012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LSS-13TR-ND
Price: 20.691 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT6012LSS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT6012LSS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT6012LSS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT6012LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT6012LSS-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 10,4A (Ta) 1,2W (Ta) Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22.2 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1522 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10,4A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu DMT6012

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 8 322

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)