Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 56.5312 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT32M6LDG-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT32M6LDG-13
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) Montáž na povrch PowerDI3333-8 (typ G)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 400µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15,6nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2101pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,1W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 47A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI3333-8 (typ G)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,5mOhm při 18A, 10V	Základní číslo produktu DMT32