Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 52.9254 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT32M6LDG-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT32M6LDG-13
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) Montáž na povrch PowerDI3333-8 (typ G)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 47A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,5mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 400µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15,6nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2101pF při 15V
Výkon - max	1,1W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI3333-8 (typ G)
Základní číslo produktu	DMT32