Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 34.8964 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT12H090LFDF4-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT12H090LFDF4-7
Popis	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 115 V 3,4A (Ta) 900mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN2020-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	115 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	3V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	251 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	900mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X2-DFN2020-6
Pouzdro	6-PowerXDFN
Základní číslo produktu	DMT12