Name: DMT10H015LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LFG-13TR-ND
Price: 52.998 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H015LFG-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H015LFG-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H015LFG-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H015LFG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H015LFG-13
Popis	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33.3 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1871 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra POWERDI3333-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 13,5mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu DMT10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	1 176	DMT10H015LFG-7DICT-ND	43,80000 Kč	Parametrický ekvivalent
TPN13008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	1 638	TPN13008NHL1QCT-ND	35,45000 Kč	Similar