Name: DMT10H010LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LK3-13DITR-ND
Price: 56.4102 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H010LK3-13
Číslo produktu DigiKey	DMT10H010LK3-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMT10H010LK3-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMT10H010LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H010LK3-13
Popis	MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 68,8A (Tc) 3W (Ta) Montáž na povrch TO-252-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 53.7 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2592 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 68,8A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,8mOhm při 13A, 10V	Základní číslo produktu DMT10