Name: DMT10H009SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009SPS-13TR-ND
Price: 48.279 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H009SPS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H009SPS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H009SPS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H009SPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H009SPS-13
Popis	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 1,3W (Ta) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 30 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2085 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14A (Ta), 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,5mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu DMT10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 534

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)