Name: DMT10H009LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LK3-13TR-ND
Price: 44.5764 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H009LK3-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H009LK3-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H009LK3-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H009LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H009LK3-13
Popis	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 90A (Tc) 1,7W (Ta) Montáž na povrch TO-252 (DPAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMT10H009LK3-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2309 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,7W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252 (DPAK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	DMT10