Name: DMP56D0UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7DITR-ND
Price: 14.7378 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP56D0UFB-7
Číslo produktu DigiKey	DMP56D0UFB-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMP56D0UFB-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMP56D0UFB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP56D0UFB-7
Popis	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMP56D0UFB-7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.58 nC @ 4 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 50.54 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 425mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 50 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4V	Pouzdro 3-UFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 6Ohm při 100A, 4V	Základní číslo produktu DMP56

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 649

Skladové zásoby výrobce: 60 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)