Name: DMP2008UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-13DITR-ND
Price: 21.9252 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMP2008UFG-13
Číslo produktu DigiKey	DMP2008UFG-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMP2008UFG-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMP2008UFG-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMP2008UFG-13
Popis	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2,4W (Ta), 41W (Tc) Montáž na povrch POWERDI3333-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Ta), 54A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 12A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	72 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6909 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,4W (Ta), 41W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	POWERDI3333-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	DMP2008