Name: DMNH6012SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6012SPSQ-13DITR-ND
Price: 55.0187 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMNH6012SPSQ-13
Číslo produktu DigiKey	DMNH6012SPSQ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMNH6012SPSQ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMNH6012SPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMNH6012SPSQ-13
Popis	MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 50A (Tc) 1,6W (Ta) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1926 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,6W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	DMNH6012