Name: DMN62D1LFDQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND
Price: 12.705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN62D1LFDQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN62D1LFDQ-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN62D1LFDQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN62D1LFDQ-7
Popis	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 400mA (Ta) 500mW Montáž na povrch U-DFN1212-3 (typ C)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.55 nC @ 4.5 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 36 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500mW
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 400mA (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4V	Dodávaná velikost pouzdra U-DFN1212-3 (typ C)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2Ohm při 100mA, 4V	Pouzdro 3-PowerUDFN
Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA	Základní číslo produktu DMN62

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 37

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)