Name: DMN62D0LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D0LFB-7BTR-ND
Price: 12.1121 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN62D0LFB-7B
Číslo produktu DigiKey	31-DMN62D0LFB-7BTR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN62D0LFB-7BCT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN62D0LFB-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN62D0LFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.45 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 32 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 470mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4V	Pouzdro 3-UFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2Ohm při 100mA, 4V	Základní číslo produktu DMN62

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 6

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Nezrušitelné/nevratné

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)