Name: DMN6040SSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6040SSDQ-13DITR-ND
Price: 15.6211 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN6040SSDQ-13
Číslo produktu DigiKey	DMN6040SSDQ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN6040SSDQ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN6040SSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN6040SSDQ-13
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 5A (Ta) 1,3W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN6040SSDQ-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22,4nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1287pF při 25V
Výkon - max	1,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMN6040