DMN3732UFB4-7 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

DMN3732UFB4-7B
Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,05000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

DMN3732UFB4Q-7B
Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,68000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
X2-DFN1006-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3732UFB4-7

Číslo produktu DigiKey
31-DMN3732UFB4-7TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce
DMN3732UFB4-7
Popis
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 1,3A (Ta) 490mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN1006-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Diodes Incorporated
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
460mOhm při 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
950mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
40.8 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
490mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
X2-DFN1006-3
Pouzdro
3-XFDFN
Základní číslo produktu
DMN3732
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.