Name: DMN3350LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3350LFB-7BTR-ND
Price: 4.71911 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 30 V 1,6A (Ta) 600mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3350LFB-7B
Číslo produktu DigiKey	31-DMN3350LFB-7BTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3350LFB-7B
Popis	MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 1,6A (Ta) 600mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,6V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.1 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR)	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 38.4 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 600mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,6A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 3-UFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 350mOhm při 590mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Páska a cívka (TR)