Name: DMN3200U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3200U-7DITR-ND
Price: 8.8209 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3200U-7
Číslo produktu DigiKey	DMN3200U-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3200U-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3200U-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3200U-7
Popis	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 2,2A (Ta) 650mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN3200U-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 2,2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	290 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	650mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	DMN3200