Name: DMN3061SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3061SVTQ-7-ND
Price: 11.9669 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3061SVTQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMN3061SVTQ-7-ND
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3061SVTQ-7
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,4A (Ta) 880mW (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,4A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	60mOhm při 3,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,8V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6,6nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	278pF při 15V
Výkon - max	880mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Základní číslo produktu	DMN3061

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 007

Skladové zásoby výrobce: 3 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení