Name: DMN3032LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LE-13DITR-ND
Price: 23.6313 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN3032LE-13
Číslo produktu DigiKey	DMN3032LE-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN3032LE-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN3032LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN3032LE-13
Popis	MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 5,6A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch SOT-223-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN3032LE-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11.3 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 498 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,8W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,6A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 29mOhm při 3,2A, 10V	Základní číslo produktu DMN3032

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 95 515

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)