Name: DMN2990UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2990UFB-7BTR-ND
Price: 7.623 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2990UFB-7B
Číslo produktu DigiKey	31-DMN2990UFB-7BTR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN2990UFB-7BCT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN2990UFB-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2990UFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 780mA (Ta) 520mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.41 nC @ 4.5 V
Mfr Diodes Incorporated	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 31 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 520mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 780mA (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 990mOhm při 100mA, 4,5V	Pouzdro 3-UFDFN
Vgs(th) (max) při Id 1V při 250A	Základní číslo produktu DMN2990

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 067

Skladové zásoby výrobce: 160 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)