Name: DMN2451UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2451UFB4Q-7BTR-ND
Price: 5.7959 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2451UFB4Q-7B
Číslo produktu DigiKey	31-DMN2451UFB4Q-7BTR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMN2451UFB4Q-7BCT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMN2451UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2451UFB4Q-7B
Popis	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 1,3A (Ta) 660mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	400mOhm při 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	32 pF @ 16 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	660mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	X2-DFN1006-3
Pouzdro	3-XFDFN
Základní číslo produktu	DMN2451

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 4 642

Skladové zásoby výrobce: 30 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®