Name: DMN2050LFDB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2050LFDB-13DITR-ND
Price: 17.061 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2050LFDB-13
Číslo produktu DigiKey	DMN2050LFDB-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN2050LFDB-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN2050LFDB-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2050LFDB-13
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 3,3A 730mW Montáž na povrch U-DFN2020-6 (typ B)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN2050LFDB-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	45mOhm při 5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	389pF při 10V
Výkon - max	730mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (typ B)
Základní číslo produktu	DMN2050

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 13 455

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®