Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 17.9201 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN2019UTS-13
Číslo produktu DigiKey	DMN2019UTS-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN2019UTS-13
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 5,4A 780mW Montáž na povrch 8-TSSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN2019UTS-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 950mV při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8,8nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 143pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 780mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální) společný odtok	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-TSSOP (0,173", 4,40mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra 8-TSSOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,4A	Základní číslo produktu DMN2019
Rds zap (max) při Id, Vgs 18,5mOhm při 7A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 11 544

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)