Name: DMN1260UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1260UFA-7BDITR-ND
Price: 10.3455 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1260UFA-7B
Číslo produktu DigiKey	DMN1260UFA-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1260UFA-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1260UFA-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1260UFA-7B
Popis	MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Montáž na povrch X2-DFN0806-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN1260UFA-7B Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.96 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 60 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 360mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 500mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra X2-DFN0806-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Pouzdro 3-XFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 366mOhm při 200mA, 4,5V	Základní číslo produktu DMN1260

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 19 875

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)