Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7BDITR-ND
Price: 9.8373 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1150UFB-7B
Číslo produktu DigiKey	DMN1150UFB-7BDITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1150UFB-7BDICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1150UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1150UFB-7B
Popis	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 1,41A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch X1-DFN1006-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN1150UFB-7B Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 106 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 500mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,41A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra X1-DFN1006-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Pouzdro 3-UFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 150mOhm při 1A, 4,5V	Základní číslo produktu DMN1150

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)