Name: DMN10H170SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3-13DITR-ND
Price: 26.6805 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN10H170SK3-13
Číslo produktu DigiKey	DMN10H170SK3-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN10H170SK3-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN10H170SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN10H170SK3-13
Popis	MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 12A (Tc) 42W (Tc) Montáž na povrch TO-252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMN10H170SK3-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9.7 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1167 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 42W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 140mOhm při 5A, 10V	Základní číslo produktu DMN10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 56 172

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)