Name: DMN1029UFDB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1029UFDB-7DITR-ND
Price: 13.3584 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1029UFDB-7
Číslo produktu DigiKey	DMN1029UFDB-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1029UFDB-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1029UFDB-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1029UFDB-7
Popis	MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 5,6A 1,4W Montáž na povrch U-DFN2020-6 (typ B)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,6A
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19,6nC při 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	914pF při 6V
Výkon - max	1,4W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (typ B)
Základní číslo produktu	DMN1029