Name: DMN1019UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-7DITR-ND
Price: 18.2952 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMN1019UVT-7
Číslo produktu DigiKey	DMN1019UVT-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1019UVT-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1019UVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1019UVT-7
Popis	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 10,7A (Ta) 1,73W (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50.4 nC @ 8 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2588 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,73W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10,7A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra TSOT-26
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 4,5V	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Rds zap (max) při Id, Vgs 10mOhm při 9,7A, 4,5V	Základní číslo produktu DMN1019

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 19

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)