Name: DMN1019UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-7DITR-ND
Price: 14.9919 CZK
Availability: InStock

DMN1019UVT-7
Číslo produktu DigiKey	DMN1019UVT-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMN1019UVT-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMN1019UVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMN1019UVT-7
Popis	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 12 V 10,7A (Ta) 1,73W (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10mOhm při 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50.4 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2588 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,73W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	DMN1019

Jednotková cena bez DPH:	12,39000 Kč
Jednotková cena s DPH:	14,99190 Kč

DMN1019UVT-7