Name: DMHT6016LFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHT6016LFJ-13DITR-ND
Price: 59.9918 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMHT6016LFJ-13
Číslo produktu DigiKey	DMHT6016LFJ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMHT6016LFJ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMHT6016LFJ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMHT6016LFJ-13
Popis	MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 14,8A (Ta) Montáž na povrch V-DFN5045-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMHT6016LFJ-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14,8A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8,4nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	864pF při 30V
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	12-VDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	V-DFN5045-12
Základní číslo produktu	DMHT6016