Name: DMHT6016LFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHT6016LFJ-13DITR-ND
Price: 77.9724 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMHT6016LFJ-13
Číslo produktu DigiKey	DMHT6016LFJ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMHT6016LFJ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMHT6016LFJ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMHT6016LFJ-13
Popis	MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 14,8A (Ta) Montáž na povrch V-DFN5045-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMHT6016LFJ-13 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8,4nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 864pF při 30V
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 4 N-kanál (polomůstek)	Pouzdro 12-VDFN podložka pro odvod tepla
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra V-DFN5045-12
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14,8A (Ta)	Základní číslo produktu DMHT6016
Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 10A, 10V