Name: DMHC10H170SFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC10H170SFJ-13DITR-ND
Price: 46.6092 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMHC10H170SFJ-13
Číslo produktu DigiKey	DMHC10H170SFJ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMHC10H170SFJ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMHC10H170SFJ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMHC10H170SFJ-13
Popis	MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2,9A, 2,3A 2,1W Montáž na povrch V-DFN5045-12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMHC10H170SFJ-13 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	Kanál 2 N a 2 P (plný můstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,9A, 2,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	160mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9,7nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1167pF při 25V
Výkon - max	2,1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	12-VDFN podložka pro odvod tepla
Dodávaná velikost pouzdra	V-DFN5045-12
Základní číslo produktu	DMHC10