Name: DMG9926USD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG9926USD-13DITR-ND
Price: 18.634 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG9926USD-13
Číslo produktu DigiKey	DMG9926USD-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG9926USD-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG9926USD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG9926USD-13
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 8A 1,3W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8,8nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	867pF při 15V
Výkon - max	1,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMG9926