Name: DMG6602SVTX-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG6602SVTX-7TR-ND
Price: 14.883 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG6602SVTX-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMG6602SVTX-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMG6602SVTX-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMG6602SVTX-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG6602SVTX-7
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,4A (Ta), 2,8A (Ta) 840mW (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG6602SVTX-7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13nC při 10V, 9nC při 10V
Výrobce Diodes Incorporated	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 400pF při 15V, 420pF při 15V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 840mW (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace N a P-kanál doplňkový	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,4A (Ta), 2,8A (Ta)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Rds zap (max) při Id, Vgs 60mOhm při 3,1A, 10V, 95mOhm při 2,7A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra TSOT-26
Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 250µA	Základní číslo produktu DMG6602

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 685

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)