Name: DMG6602SVTX-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG6602SVTX-7TR-ND
Price: 9.8252 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG6602SVTX-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMG6602SVTX-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMG6602SVTX-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMG6602SVTX-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG6602SVTX-7
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,4A (Ta), 2,8A (Ta) 840mW (Ta) Montáž na povrch TSOT-26
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG6602SVTX-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál doplňkový
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,4A (Ta), 2,8A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	60mOhm při 3,1A, 10V, 95mOhm při 2,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13nC při 10V, 9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	400pF při 15V, 420pF při 15V
Výkon - max	840mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	TSOT-26
Základní číslo produktu	DMG6602