Name: DMG1026UV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1026UV-7DITR-ND
Price: 16.1535 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG1026UV-7
Číslo produktu DigiKey	DMG1026UV-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG1026UV-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG1026UV-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG1026UV-7
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 410mA 580mW Montáž na povrch SOT-563
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG1026UV-7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,8V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0,45nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 32pF při 25V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 580mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-563, SOT-666
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-563
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 410mA	Základní číslo produktu DMG1026
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,8Ohm při 500mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 40 961

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)