Name: DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1016V-7DITR-ND
Price: 13.2132 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG1016V-7
Číslo produktu DigiKey	DMG1016V-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG1016V-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG1016V-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG1016V-7
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 870mA, 640mA 530mW Montáž na povrch SOT-563
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG1016V-7 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Výrobce Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0,74nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 60,67pF při 16V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 530mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-563, SOT-666
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-563
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 870mA, 640mA	Základní číslo produktu DMG1016
Rds zap (max) při Id, Vgs 400mOhm při 600mA, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 12 044

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)