Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 177.6038 CZK
Availability: InStock

N-kanál 650 V 17A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 8-DFN (5x6)

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CDF56G6517N TR13 PBFREE
Číslo produktu DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Páska a cívka (TR) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Řezaná páska (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Central Semiconductor Corp
Číslo produktu výrobce	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Popis	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 17A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 8-DFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 17,2mA
Mfr Central Semiconductor Corp	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3.5 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -1,4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 125 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,1W (Ta), 113W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 17A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (5x6)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 140mOhm při 5A, 6V