CGD65B200S2-T13
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CGD65B200S2-T13

Číslo produktu DigiKey
4768-CGD65B200S2-T13TR-ND - Páska a cívka (TR)
4768-CGD65B200S2-T13CT-ND - Řezaná páska (CT)
4768-CGD65B200S2-T13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Cambridge GaN Devices
Číslo produktu výrobce
CGD65B200S2-T13
Popis
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
650 V 8,5A (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (5x6)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Cambridge GaN Devices
Řada
ICeGaN™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
-
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
8,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
9V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
280mOhm při 600mA, 12V
Vgs(th) (max) při Id
4,2V při 2,75mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1.4 nC @ 12 V
Vgs (max)
+20V, -1V
Funkce tranzistoru FET
Detekce proudu
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-DFN (5x6)
Pouzdro
8-PowerVDFN
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 4 139
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1116,44000 Kč116,44 Kč
1077,67500 Kč776,75 Kč
10055,72650 Kč5 572,65 Kč
50054,17884 Kč27 089,42 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00044,26375 Kč221 318,75 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:116,44000 Kč
Jednotková cena s DPH:140,89240 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

262,46000 Kč
CGD65B240SH2

CGD65B240SH2

650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.

Cambridge GaN Devices

112,27000 Kč
CGD65B130S2-T13

CGD65B130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

Cambridge GaN Devices

150,60000 Kč
CGD65C025SP2

CGD65C025SP2

650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD

Cambridge GaN Devices

520,54000 Kč
GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1

GAN POWER TRANSISTOR

Infineon Technologies

200,59000 Kč
CGD65A055S2-T07

CGD65A055S2-T07

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

345,15000 Kč
CGD65B130SH2

CGD65B130SH2

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

Cambridge GaN Devices

147,89000 Kč
CGD65A130SH2

CGD65A130SH2

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Cambridge GaN Devices

157,27000 Kč
CGD65A130S2-T13

CGD65A130S2-T13

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Cambridge GaN Devices

159,97000 Kč