Name: CGD65A130S2-T13
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65A130S2-T13TR-ND
Price: 195.6086 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CGD65A130S2-T13
Číslo produktu DigiKey	4768-CGD65A130S2-T13TR-ND - Páska a cívka (TR) 4768-CGD65A130S2-T13CT-ND - Řezaná páska (CT) 4768-CGD65A130S2-T13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Cambridge GaN Devices
Číslo produktu výrobce	CGD65A130S2-T13
Popis	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	650 V 12A (Tc) Montáž na povrch 16-DFN (8x8)

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Cambridge GaN Devices
Řada	ICeGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	-
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	12V
Rds zap (max) při Id, Vgs	182mOhm při 900mA, 12V
Vgs(th) (max) při Id	4,2V při 4,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.3 nC @ 12 V
Vgs (max)	+20V, -1V
Funkce tranzistoru FET	Detekce proudu
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	16-DFN (8x8)
Pouzdro	16-PowerVDFN