Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 192.8377 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CGD65B130SH2
Číslo produktu DigiKey	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Páska a cívka (TR) 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Řezaná páska (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Cambridge GaN Devices
Číslo produktu výrobce	CGD65B130SH2
Popis	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 12A Montáž na povrch 8-DFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 12V
Mfr Cambridge GaN Devices	Rds zap (max) při Id, Vgs 182mOhm při 900mA, 12V
Řada ICeGaN™	Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 4,2mA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.9 nC @ 12 V
Stav součásti Aktivní	Vgs (max) +20V, -1V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A	Pouzdro 8-PowerVDFN