Name: CGD65A055SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65A055SH2TR-ND
Price: 340.1673 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CGD65A055SH2
Číslo produktu DigiKey	4768-CGD65A055SH2TR-ND - Páska a cívka (TR) 4768-CGD65A055SH2CT-ND - Řezaná páska (CT) 4768-CGD65A055SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Cambridge GaN Devices
Číslo produktu výrobce	CGD65A055SH2
Popis	650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 27A Montáž na povrch 16-DFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 12V
Mfr Cambridge GaN Devices	Rds zap (max) při Id, Vgs 77mOhm při 2,2A, 12V
Řada ICeGaN™ H2	Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 10mA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4 nC @ 12 V
Stav součásti Aktivní	Vgs (max) +20V, -1V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra 16-DFN (8x8)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 27A	Pouzdro 16-PowerVDFN