Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
AOT8N65 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
AOT8N65 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | AOT8N65-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | AOT8N65 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Zastaralé | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 25 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-220 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,15Ohm při 4A, 10V | Základní číslo produktu |
Nahlásit chybu v informacích o produktu
Dokumenty a média
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | 7,06000 Kč | Similar |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | 1,35151 Kč | Similar |
| TK7E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 70 | TK7E80WS1X-ND | 4,10000 Kč | Similar |
Zastaralý
