AOT8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Diskrétní polovodičové produkty

AOT8N65 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 240

Jednotková cena : 147,14000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 29,68303 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 70

Jednotková cena : 91,99000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOT8N65
Číslo produktu DigiKey	AOT8N65-ND
Výrobce	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Číslo produktu výrobce	AOT8N65
Popis	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,15Ohm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	208W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	AOT8