AOB1100L je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 6 209
Jednotková cena : 80,31000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 949
Jednotková cena : 60,55000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 284
Jednotková cena : 72,40000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 10 370
Jednotková cena : 84,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 096
Jednotková cena : 109,23000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 122
Jednotková cena : 44,73000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 7 675
Jednotková cena : 75,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 529
Jednotková cena : 43,48000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 600
Jednotková cena : 20,64605 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 99,87000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 343
Jednotková cena : 67,20000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 544
Jednotková cena : 40,57169 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 224
Jednotková cena : 65,75000 Kč
Katalogový list
AOB290L
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AOB1100L

Číslo produktu DigiKey
785-1319-2-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
AOB1100L
Popis
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 8A (Ta), 130A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
11,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,8V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4833 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,1W (Ta), 500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.